单岛单电子晶体管的电导分析

• 作者: 张超 方粮 隋兵才
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 电导 库仑振荡 库仑阻塞
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 655-662
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

基于单电子经典理论，本文通过分析得出了单岛单电子晶体管的源漏电导模型，并对其进行了详细的分析讨论．单岛单电子晶体管的源漏电导随着源漏电压的变化发生周期性的振荡衰减，并随着源漏电压的增大逐渐收敛于本征电导值．源漏电导的这种特性受温度、结电阻、结电容等参数的影响．分析结果表明，源漏电导分析模型对单电子晶体管的大规模应用具有非常重要的意义．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张超	国防科技大学计算机学院重点实验室	11	10	2.0	2.0
2	隋兵才	国防科技大学计算机学院重点实验室	7	16	3.0	3.0
3	方粮	国防科技大学计算机学院重点实验室	12	108	3.0	10.0