Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响

• 作者: 杨宇 杨洲 王洪涛 王茺 胡伟达
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si1-x Gex 沟道 p-MOSFET 空穴迁移率 栅电容
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 547-552
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

利用二维数值模拟方法，研究了不同Ge组分应变Si1-x Gex，沟道p-MOSFET的电容一电压特性以及阈值电压的变化情况．计算结果表明：提高应变Si1-x Gex；沟道层中的Ge组分，器件亚阈值电流明显增大；栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化；阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系．通过改变Si1-x Gex沟道的长度，并结合相关物理模型，在低电场情况下，沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	胡伟达	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	17	102	6.0	9.0
4	杨洲	云南大学光电信息材料研究所	5	16	2.0	4.0
5	王洪涛	云南大学光电信息材料研究所	3	13	2.0	3.0