电压敏电容双功能元件制备

• 作者: 曹全喜 郝云芳
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 氧敏 半导化 氧空位 SrTiO3功能材料
• 年，卷（期）: 2011,（20）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 150-152
• 分类号: TN304-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.20.043

摘要

为提高元件半导化原理并提高元件的氧气灵敏度,对以SrTiO3为基材的样品分别在强还原气体条件和大气条件下的N型电压敏、电容双功能元件和P型氧气敏感元件,分别测试了N型元件的压敏电压U1mA等电参数和P型元件在不同的温度下的阻温特性、氧敏特性,并进行了TPD测量.研究表明氧空位是在SrTiO3晶体中杂质扩散、实现半导化的重要条件,因此控制氧空位的浓度成为制备钙钛矿型半导体功能陶瓷元件的重要因素；还原气氛烧结产生的氧空位是材料实现N型半导化的重要手段；受主杂质所产生的氧空位促进了环境氧与晶格氧的交换,是材料实现P型半导化的重要手段,也提高了元件的氧气灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹全喜	西安电子科技大学技术物理学院	92	638	13.0	21.0
2	郝云芳	西安培华学院电气信息工程学院	14	9	2.0	2.0