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摘要:
通过直流反应磁控溅射技术,原位生长制备了太阳电池用Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.采用X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征.结果表明,原位生长的CZTS薄膜具有均质、致密和平整的形貌,且由贯穿整个薄膜厚度的柱状颗粒组成.不同基底温度下生长所得薄膜的Cu/(Zn+Sn)值均约为1,而Zn/Sn值均大于1且随着基底温度升高而减小.所得薄膜在(112)方向上择优取向明显,且结构特征受基底温度和Cu/(Zn+Sn)的共同影响.所得薄膜均具有高达104cm-1的光吸收系数,其带隙宽度随着生长温度的增加而降低,并且在500 ℃时为(1.51±0.01)eV.薄膜的导电类型均为p型,且具有与器件级Cu(In,Ga)Se2(CIGS)相当的载流子浓度.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名 太阳电池用Cu2ZnSnS4薄膜的反应溅射原位生长及表征
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 Cu2ZnSnS4 直流反应磁控溅射 原位生长 太阳电池
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 790-796
页数 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘业翔 中南大学冶金科学与工程学院 179 2522 25.0 39.0
2 李劼 中南大学冶金科学与工程学院 259 2311 22.0 31.0
3 赖延清 中南大学冶金科学与工程学院 224 2239 23.0 32.0
4 张治安 中南大学冶金科学与工程学院 45 435 13.0 18.0
5 张坤 中南大学冶金科学与工程学院 31 415 14.0 19.0
6 李轶 中南大学冶金科学与工程学院 8 88 7.0 8.0
7 刘芳洋 中南大学冶金科学与工程学院 29 88 7.0 9.0
8 颜畅 中南大学冶金科学与工程学院 2 16 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
Cu2ZnSnS4
直流反应磁控溅射
原位生长
太阳电池
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