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太阳电池用Cu2ZnSnS4薄膜的反应溅射原位生长及表征
太阳电池用Cu2ZnSnS4薄膜的反应溅射原位生长及表征
作者:
刘业翔
刘芳洋
张坤
张治安
李劼
李轶
赖延清
颜畅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Cu2ZnSnS4
直流反应磁控溅射
原位生长
太阳电池
摘要:
通过直流反应磁控溅射技术,原位生长制备了太阳电池用Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.采用X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征.结果表明,原位生长的CZTS薄膜具有均质、致密和平整的形貌,且由贯穿整个薄膜厚度的柱状颗粒组成.不同基底温度下生长所得薄膜的Cu/(Zn+Sn)值均约为1,而Zn/Sn值均大于1且随着基底温度升高而减小.所得薄膜在(112)方向上择优取向明显,且结构特征受基底温度和Cu/(Zn+Sn)的共同影响.所得薄膜均具有高达104cm-1的光吸收系数,其带隙宽度随着生长温度的增加而降低,并且在500 ℃时为(1.51±0.01)eV.薄膜的导电类型均为p型,且具有与器件级Cu(In,Ga)Se2(CIGS)相当的载流子浓度.
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衬底温度对共溅射法制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响
Cu2ZnSnS4薄膜
共溅射
衬底温度
晶粒生长
内容分析
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文献信息
篇名
太阳电池用Cu2ZnSnS4薄膜的反应溅射原位生长及表征
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
Cu2ZnSnS4
直流反应磁控溅射
原位生长
太阳电池
年,卷(期)
2011,(2)
所属期刊栏目
物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向
页码范围
790-796
页数
分类号
O4
字数
语种
中文
DOI
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刘业翔
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3
赖延清
中南大学冶金科学与工程学院
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2239
23.0
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张治安
中南大学冶金科学与工程学院
45
435
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5
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中南大学冶金科学与工程学院
31
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李轶
中南大学冶金科学与工程学院
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中南大学冶金科学与工程学院
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88
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Cu2ZnSnS4
直流反应磁控溅射
原位生长
太阳电池
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
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