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摘要:
采用软件理论分析的方法对p型及n型掺杂的GaN间隔层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,掺杂的GaN间隔层的引入,可以有效地控制各阱中的电子或空穴浓度,很好地解决了双波长发光二极管中两种阱发光强度不均的问题,并且通过控制阻挡层的厚度,可以调控两种阱中的载流子浓度,从而调控发光峰的相对强度.这些可以归因于掺杂GaN间隔层对电子或空穴的阻挡作用.
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文献信息
篇名 掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 GaN 间隔层 数值模拟 双波长发光二极管
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 762-771
页数 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 范广涵 华南师范大学光电子材料与技术研究所 147 1064 16.0 26.0
2 郑树文 华南师范大学光电子材料与技术研究所 33 128 7.0 8.0
3 章勇 华南师范大学光电子材料与技术研究所 37 273 8.0 16.0
4 张运炎 华南师范大学光电子材料与技术研究所 8 34 4.0 5.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
GaN
间隔层
数值模拟
双波长发光二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
高等学校博士学科点专项科研基金
英文译名:
官方网址:http://std.nankai.edu.cn/kyjh-bsd/1.htm
项目类型:面上课题
学科类型:
论文1v1指导