基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOS EEPROM抗总剂量辐照特性研究

• 作者: 张波 徐静 李蕾蕾 肖志强 陈正才
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: EEPROM SOI SONOS 辐照 浮栅
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 756-761
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在自行研发的0.8μm SOI工艺平台上开发了基于SOI技术的单层多晶硅EEPROM(electrically erasable programmable read only memory)和SONOS(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)EEPROM,并进行了抗总剂量辐照实验研究,分析了各种EEPROM结构在抗总剂量辐照下的失效机理.结果表明基于SOI技术的SONOS EEPROM具有良好的抗总剂量辐照性能,为抗辐照EEPROM电路中的存储单元结构选取提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	徐静	中国电子科技集团公司第五十八研究所	16	27	4.0	5.0
3	陈正才	中国电子科技集团公司第五十八研究所	5	12	2.0	3.0
4	李蕾蕾	中国电子科技集团公司第五十八研究所	8	20	3.0	4.0
6	肖志强	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	10	60	5.0	7.0