硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究

• 作者: 何亮 包军林 杜磊 赵鸿飞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单结晶体管 γ射线 实时监测 基区电阻
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 750-755
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

针对硅材料和硅基器件辐照损伤机理之间存在的矛盾,采用对单结晶体管基区电阻实时监测的方法,得到单结晶体管基区阻值随γ射线辐照剂量的增加先减小后增大的规律.结合国内外硅材料和器件的辐照理论,从γ射线与物质的微观作用分析,提出单结晶体管基区主要的γ射线辐照机制位移效应较电离效应具有一定滞后性的观点,解决了原有矛盾,对器件加固的研究具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
2	何亮	西安电子科技大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
3	包军林	西安电子科技大学大学徽电子学院	43	306	10.0	16.0
4	赵鸿飞	西安电子科技大学技术物理学院	3	7	2.0	2.0