DMQA浓度对OLEDs光电性能的影响

• 作者: 曾鹏举 连加荣
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 有机电致发光器件 DMQA 浓度淬灭 激发双体发射
• 年，卷（期）: 2011,（16）
• 所属期刊栏目: 光电子器件与测试
• 页码范围: 179-182
• 分类号: TN36-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.16.056

摘要

为了探讨DMQA掺杂浓度对有机发光器件(OLEDs)光电性能的影响,采用器件结构ITO/PEDOT:PSS/TPD/Alq3:DMQA/LiF/Al,在0.28～4.5 wt%范围内改变DMQA的掺杂浓度,考察了器件的光电性能变化.结果显示,随着升高DMQA掺杂浓度,器件表现为电流略有下降,说明DMQA对载流子传输起阻挡或者陷阱作用；器件发光效率下降明显,说明DMQA分子间作用力较强,存在浓度淬灭效应,而且,器件发光光谱在570～610 nm区间存在肩峰,其强度随着DMQA浓度增加逐步增大,据此推断该肩峰来自于DMQA激基缔合物发射.