Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

• 作者: 左玉华 张广泽 成步文 汪巍 王启明 白安琪 胡炜玄 苏少坚 薛春来
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GeSn Ge 分子束外延 外延生长
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 707-711
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分疑.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500 ℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.