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1064nm纳秒脉冲激光诱导硅表面微结构研究
1064nm纳秒脉冲激光诱导硅表面微结构研究
作者:
唐多昌
徐琴
李国强
李晓红
杨宏道
王俊波
袁春华
邱荣
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
纳秒激光
硅的微结构
相爆炸
热应力
摘要:
利用Nd:YAG纳秒激光(波长为1064 nm)在不同气氛(空气、N2,真空)中对单晶硅进行累积脉冲辐照,研究了表面微结构的演化情况.在激光辐照的初始阶段,与532和355 nm纳秒脉冲激光在硅表面诱导出波纹结构不同,1064 nm脉冲激光诱导出了微孔结构和折断线结构,并且硅的晶面取向不同,相应的折断线结构也不同.对于Si(111)面,两条折线交角为120°或60°,形成网状;而对于Si(100)面,两条折断线正交,从而将表面分成了15-20pm的矩形块.结果表明,微孔结构的生长过程主要与相爆炸有关,而折断线的形成主要是热应力作用的结果.不同气氛对微结构形成的影响表明,刻蚀率和生长率与微结构的形成有密切的关系.
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文献信息
篇名
1064nm纳秒脉冲激光诱导硅表面微结构研究
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
纳秒激光
硅的微结构
相爆炸
热应力
年,卷(期)
2011,(2)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
701-706
页数
分类号
O4
字数
语种
中文
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硅的微结构
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
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主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
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