微结构对Eu掺杂Bi4Ti3O12铁电薄膜铁电性能的影响

• 作者: 何林 吕业刚 梁晓琳 谭永宏 郑学军 龚跃球
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁电薄膜 电畴翻转 扫描探针显微镜
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 669-674
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机物分解法在Pt/Ti/Si(111)基底上制备了退火温度分别为600℃,650 ℃,700 ℃的Bi3.15Eu0.85Ti3O12(BET)铁电薄膜,并对其结构及铁电性能进行了测试,再使用扫描探针显微镜对BET薄膜的电畴翻转进行了实时观测.BET薄膜c畴发生180°畴变的最小电压为+6 V,而r畴由于其高四方性,即使极化电压增至+12 V也不会发生翻转.薄膜的铁电性主要源于c畴的极化,随着退火温度的升高,c畴的区域面积增加,BET薄膜的剩余极化强度随之增大.退火温度为700 ℃的BET薄膜剩余极化强度达到84 μC/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚跃球	湘潭大学材料与光电物理学院	21	39	4.0	5.0
2	郑学军	湘潭大学材料与光电物理学院	38	111	5.0	10.0
3	谭永宏	湖南科技学院电子工程系	27	149	7.0	11.0
4	梁晓琳	湖南科技学院电子工程系	19	22	3.0	3.0
5	吕业刚	湖南科技学院电子工程系	4	3	1.0	1.0
9	何林	湘潭大学材料与光电物理学院	1	0	0.0	0.0