小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型

• 作者: 吴铁峰 张鹤鸣 王冠宇 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变硅 准二维表面势 栅隧穿电流 预测模型
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 631-637
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型应变硅器件性能的影响,文中利用积分方法从准二维表面势分析开始,提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流的理论预测模型,并在此基础上使用二维器件仿真软件ISE进行了仔细的比对研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下MOSFET器件的性能.仿真结果很好地与理论分析相符合,为超大规模集成电路的设计提供了有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	吴铁峰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	75	110	5.0	6.0
5	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	48	5.0	6.0