双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

• 作者: 何飞 刘广元 张贤高 徐骏 方忠慧 钱昕晔 陈坤基 黄信凡
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 库仑振荡 单电子效应 硅量子线
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 626-630
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.