运用球高斯分布极化势研究低能电子与H2分子碰撞的振动激发动量迁移散射截面

• 作者: 冯灏 孙卫国 曾阳阳 樊群超 王小炼 王斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: H2分子碰撞 动量迁移散射截面 振动激发 球高斯分布极化势
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 230-236
• 分类号: O56
• 语种: 中文

摘要

用最近改进的球高斯分布(distributed spherical Gaussian,DSG)极化势模型,在振动密耦合框架下和基于量子力学从头计算的静电势、交换势的基础上,研究了低能电子与H2分子碰撞振动激发的动量迁移散射截面(momentum transfer cross section,MTCS).通过包含18个振动波函数、5个分波和16个分子对称性,得到了0＜E≤10 eV时收敛性很好的v=0→v'=0,1,2,3等几个振动跃迁通道和总的MTCS,并与其他实验和理论得到的值进行了比较和分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卫国	四川大学原子与分子物理研究所	92	400	11.0	16.0
5	王斌	四川大学材料科学与工程学院	128	1019	18.0	27.0
6	樊群超	西华大学物理与化学学院先进计算研究中心	33	16	2.0	3.0
7	冯灏	西华大学物理与化学学院先进计算研究中心	30	38	4.0	5.0
8	王小炼	四川大学原子与分子物理研究所	5	1	1.0	1.0
12	曾阳阳	四川大学原子与分子物理研究所	5	1	1.0	1.0