Al掺杂SnO2材料电子结构和光学性质

• 作者: 于峰 张昌文 王培吉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 能带结构 态密度 光学性质 介电函数
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 204-210
• 分类号: O56
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的线性缀加平面波方法(FP-LAPW),研究Al掺杂SnO2材料Sn1-xAlxO2(x=0,0.0625,0.125,0.1875,0.25)的电子结构和光学性质,包括能带结构、电子态密度、介电函数和其他一些光学性质.计算结果表明,掺杂Al之后价带上部分折叠态增加,价带宽度发生收缩,对导带底起作用的Sn 5s态减少,使得带隙增宽,且态密度整体向高能方向发生移动.随着Al掺杂量的增加带隙越来越宽,Al杂质能级在导带部分与Sn 5p态电子相互作用逐渐增强,虚部谱中的第一介电峰的强度随掺杂Al浓度增大而减弱.同时,吸收谱及其他光学谱线与介电函数虚部谱线相对应,各谱线均发生蓝移现象,对应带隙增宽,从理论上指出了光学性质与电子结构之间的内在关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王培吉	济南大学理学院	55	321	11.0	13.0
2	张昌文	济南大学理学院	16	124	8.0	11.0
3	于峰	济南大学理学院	5	50	3.0	5.0