In0.3Co4Sb12-xSex方钴矿热电材料的制备和热电性能

• 作者: 唐新峰 李涵 王作成 苏贤礼
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂 填充式方钴矿 热电性能
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 595-601
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

用熔融退火结合放电等离子烧结法制备了In0.3Co4Sb12-xSex(x=0-0.3)方钴矿热电材料,探讨了In的存在形式,系统研究了Se掺杂量对结构和热电性能的影响.结果表明:In可以填充到方钴矿二十面体空洞处,过量In在晶界处形成InSb第二相,Se对Sb的置换使晶格常数减小,In填充上限降低;In0.3Co4Sb12-xSex样品呈n型传导,随着Se掺杂量的增大,载流子浓度降低,电导率下降,Seebeck系数增大,功率因子有所降低;由于在结构中引入了质量波动及晶格畸变,适量的Se掺杂可以大幅降低材料晶格热导率;样品In0.3Co4Sb12和In0.3Co4Sb11.95Se0.05的最大ZT值均达到1.0以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐新峰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	78	440	12.0	18.0
2	李涵	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	20	73	5.0	7.0
3	苏贤礼	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	14	45	4.0	6.0
4	王作成	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0