808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

• 作者: 冯源 姜会林 晏长岭 王晓华 王玉霞 王菲 薄报学 赵英杰 郝永芹 高欣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 高功率 大孔径
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 293-297
• 分类号: TN248
• 语种: 中文

摘要

垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出的技术难题.采用新型结构成功研制出808 nm波段高功率大孔径VCSEL,在注入电流为1A时,室温下连续输出功率达0.3 W.