a-Si:H/SiO2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究

• 作者: 周呈悦 王懿喆 马小凤
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多量子阱 量子限制效应 光学吸收 能带结构
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 743-747
• 分类号: O471.1
• 语种: 中文

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si:H/SiO2多量子阱结构材料.对a-Si:H/SiO2多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其中样品经1100℃高温退火可获得尺寸可控的nc-Si:H:/SiO2量子点超晶格结构,其尺寸与非晶硅子层厚度相当.比较了a-Si:H:/SiO2多量子阱材料与相同制备工艺条件下a-Si:H材料的吸收系数,在紫外/可见短波段前者的吸收系数明显增大,光学吸收边蓝移,说明该材料具有明显的量子尺寸效应,验证了采用a-Si:H:/SiO2多量子阱结构来提高太阳能电池光电转换效率的可行性.另外,尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子点超晶格结构的形成,为纳米硅新结构太阳能电池的研究和制备奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王懿喆		2	14	2.0	2.0
2	马小凤		2	14	2.0	2.0
3	周呈悦		2	14	2.0	2.0