高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响

• 作者: 文玉梅 李平 王东 陈蕾
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁电效应 磁致伸缩材料 压电材料 高磁导率材料
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 658-666
• 分类号: O482.5
• 语种: 中文

摘要

采用超磁致伸缩材料TbxDy1-xFe2(x≈0.3)(Teffenol-D)、压电材料PbZrxTi1-xO3(PZT)和高磁导率材料FeCuNbSiB构造了新型的层合结构.由于引入高磁导率材料FeCuNbSiB改变了Terfenol-D的内部磁场分布,并且在磁场作用下,FeCuNbSiB发生形变对Terfenol-D产生应力,增大了Terfenol-D的饱和磁致伸缩系数,使得该层合结构具有更高的磁电电压输出.利用磁荷理论,分析了FeCuNbSiB对Terfenol-D内部有效磁场分布的影响,并采用磁致伸缩材料Terfenol-D的非线性本构关系和等效电路法研究了FeCuNbSiB对其磁致伸缩系数的影响以及该层合结构的低频磁电电压系数理论计算公式.通过实验研究表明:理论值和实验值定性符合,且该结构的低频最大磁电电压系数是Terfenol-D/PZT-8H(MP)层合结构的1.3倍.同时发现,当FeCuNbSiB厚度小于180 μm时,层合结构的最大磁电电压系数与高磁导率材料FeCuNbSiB的厚度呈线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文玉梅	重庆大学光电工程学院教育部光电技术及系统重点实验室	147	1964	25.0	34.0
2	李平	重庆大学光电工程学院教育部光电技术及系统重点实验室	155	1865	23.0	33.0
3	王东	重庆大学光电工程学院教育部光电技术及系统重点实验室	24	362	7.0	18.0
4	陈蕾	重庆大学光电工程学院教育部光电技术及系统重点实验室	7	30	3.0	5.0