p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

• 作者: 任迪远 余学峰 兰博 崔江维 李明 王义元 高博
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型金属氧化物半导体场效应晶体管 60Coγ射线 电离辐射损伤 低剂量率辐射损伤增强效应
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 812-818
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究.通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系.实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应.通过描述H+在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型.