钎锌矿相GaN电子高场输运特性的Monte Carlo模拟研究

• 作者: 刘鑫 张锁良 郭宝增
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碰撞电离 高场输运 能带结构 Monte Carlo模拟
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 806-811
• 分类号: O481
• 语种: 中文

摘要

应用全带多粒子Monte Carlo模拟方法,研究了钎锌矿相GaN材料电子的高场输运特性.模拟中利用了基于第一性原理总能量赝势方法计算得到的纤锌矿GaN的能带结构数据.用Cartier的方法,计算碰撞电离散射率.计算得到了电子平均漂移速度和电子平均能量与电场的关系曲线.电离系数的分析表明当电场强度大于1 MV/cm时,才会有明显的碰撞电离发生,量子产额的分析表明当电子的能量大于7 eV时,量子产额随能量增加迅速增大.研究了在0-4 MV/cm电场强度范围内电子在各导带的分布,低场下电子全部位于第1导带,随着电场增加电子跃迁到更高的导带上.在所研究的电场范围内,电子主要位于第1和第2导带,高场下一些电子位于第3、第4和第5导带,第7和第8导带上的电子极少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭宝增	河北大学电子信息工程学院	61	447	11.0	19.0
2	刘鑫	河北大学电子信息工程学院	29	107	5.0	9.0
3	张锁良	河北大学电子信息工程学院	20	96	6.0	9.0