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Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性
Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性
作者:
丁永杰
张凤奎
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
饱和
鞘层
碰撞
频率
摘要:
利用二维粒子模拟方法研究Hall推力器内电子与壁面的碰撞频率.研究发现,饱和鞘层状态下的电子与壁面的碰撞频率较经典鞘层下大大增加,甚至高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率两个数量级,这样饱和鞘层状态下电子与壁面的碰撞频率对近壁电流的贡献将不容忽略.进一步分析造成饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率增加的原因后认为,饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率的增加是鞘层电势降过低和壁面发射的二次电子同流造成的.
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文献信息
篇名
Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
饱和
鞘层
碰撞
频率
年,卷(期)
2011,(6)
所属期刊栏目
气体、等离子体和放电物理
研究方向
页码范围
459-463
页数
分类号
O441
字数
语种
中文
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鞘层
碰撞
频率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
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