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摘要:
利用二维粒子模拟方法研究Hall推力器内电子与壁面的碰撞频率.研究发现,饱和鞘层状态下的电子与壁面的碰撞频率较经典鞘层下大大增加,甚至高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率两个数量级,这样饱和鞘层状态下电子与壁面的碰撞频率对近壁电流的贡献将不容忽略.进一步分析造成饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率增加的原因后认为,饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率的增加是鞘层电势降过低和壁面发射的二次电子同流造成的.
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文献信息
篇名 Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 饱和 鞘层 碰撞 频率
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 气体、等离子体和放电物理
研究方向 页码范围 459-463
页数 分类号 O441
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
饱和
鞘层
碰撞
频率
研究起点
研究来源
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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