Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究

• 作者: 张姗 胡晓宁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si基碲镉汞 深能级 产生-复合电流 理想因子
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 800-805
• 分类号: TN215
• 语种: 中文

摘要

通过变温I-V测试方法对中波Si基碲镉汞光伏探测器的深能级进行了研究.首先在产生-复合电流为主导电流机理范围内对Si基碲镉汞探测器的I-1/(kBT)曲线拟合,得到-0.01 V偏压下单元Si基碲镉汞器件的深能级Eg/4.然后对不同偏压下的实验数据进行了拟合、比较,发现不同偏压下起主导作用的深能级与该偏压下的暗电流机理有较好的对应关系.最后对-0.01 V偏压下不同面积器件的深能级进行了拟合、比较,发现深能级与器件面积关系不大,与理论分析相一致,验证了实验方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡晓宁	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	31	241	9.0	14.0
2	张姗	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	2	4	2.0	2.0