锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型

• 作者: 奚鹏程 张鹤鸣 戴显英 楚亚萍 王船宝 董洁琼 赵娴 邓文洪 郝跃 金国强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiGe/Si异质结材料 化学气相淀积生长动力学模型 Grove理论 Fick第一定律
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 440-446
• 分类号: O471
• 语种: 中文

摘要

基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.