第一性原理研究In,N共掺杂SnO2材料的光电性质

• 作者: 宋朋 张国莲 张昌文 王培吉 蒋雷 逯瑶
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子结构 态密度 能带结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 223-229
• 分类号: O482.3
• 语种: 中文

摘要

采用全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)的方法,基于密度泛函理论第一性原理结合广义梯度近似(GGA),运用Wien2k软件计算了In,N两种元素共掺杂SnO2材料的电子态密度和光学性质.研究表明,共掺杂结构在自旋向下和向上两方向上都出现细的局域能级,两者态密度分布不对称;带隙内自旋向下方向上产生局域能级,共掺化合物表现出半金属性;能带结构显示两种共掺杂化合物仍为直接禁带半导体,价带顶随着N浓度的增加发生向低能方向移动,带隙明显增宽;共掺下的介电函数虚部主介电峰只在8.58 eV存在,且主峰位置发生右移,峰值强度显著增大;实部谱中,不同N浓度的两种共掺结构其静介电常数也明显增大,N的2p态与In的5s态之间发生强烈的相互作用;共掺下吸收谱中的吸收峰数目减少,吸收光波段范围增宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王培吉	济南大学理学院	55	321	11.0	13.0
2	张昌文	济南大学理学院	16	124	8.0	11.0
3	宋朋	济南大学理学院	11	28	3.0	5.0
4	逯瑶	济南大学理学院	11	84	7.0	9.0
5	蒋雷	济南大学理学院	7	73	6.0	7.0
6	张国莲	济南大学理学院	9	73	6.0	8.0