铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

• 作者: 付刚 季艳菊 李双 梁毅 王凤翔 秦希峰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 投影射程和射程离散 退火行为 卢瑟福背散射技术
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 483-487
• 分类号: O483
• 语种: 中文

摘要

用300-500keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些.结果表明,注入剂量一定时,注入能量越高,晶格损伤程度越高.1400℃的高温退火,可以实现6H-SiC的完美再晶化,但伴随着产生了Er原子向表面的外逸出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王凤翔	山东建筑大学理学院	16	48	4.0	5.0
2	秦希峰	山东建筑大学理学院	11	16	2.0	2.0
3	付刚	山东建筑大学理学院	12	40	3.0	5.0
4	梁毅	山东建筑大学理学院	4	6	2.0	2.0
5	李双	山东建筑大学理学院	7	6	1.0	2.0
6	季艳菊	山东建筑大学理学院	2	19	1.0	2.0