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铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究
铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究
作者:
付刚
季艳菊
李双
梁毅
王凤翔
秦希峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
离子注入
投影射程和射程离散
退火行为
卢瑟福背散射技术
摘要:
用300-500keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些.结果表明,注入剂量一定时,注入能量越高,晶格损伤程度越高.1400℃的高温退火,可以实现6H-SiC的完美再晶化,但伴随着产生了Er原子向表面的外逸出.
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期刊文献
内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
离子注入
投影射程和射程离散
退火行为
卢瑟福背散射技术
年,卷(期)
2011,(6)
所属期刊栏目
凝聚物质:结构、力学和热学性质
研究方向
页码范围
483-487
页数
分类号
O483
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王凤翔
山东建筑大学理学院
16
48
4.0
5.0
2
秦希峰
山东建筑大学理学院
11
16
2.0
2.0
3
付刚
山东建筑大学理学院
12
40
3.0
5.0
4
梁毅
山东建筑大学理学院
4
6
2.0
2.0
5
李双
山东建筑大学理学院
7
6
1.0
2.0
6
季艳菊
山东建筑大学理学院
2
19
1.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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(0)
共引文献
(0)
参考文献
(0)
节点文献
引证文献
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同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
2011(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2015(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
离子注入
投影射程和射程离散
退火行为
卢瑟福背散射技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
山东省自然科学基金
英文译名:
Natural Science Foundation of Shandong Province
官方网址:
http://kyc.wfu.edu.cn/second/wnfw/shandongshengzirankexuejijin.htm
项目类型:
重点项目
学科类型:
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