功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

• 作者: 吴郁 胡冬青 贾云鹏 高一星
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物场效应晶体管 单粒子烧毁 二维数值模拟
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 114-116
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 字数: 1648字
• 语种: 中文

摘要

在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素.仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可提高器件负阻转折临界电流,高掺杂缓冲层可改善器件二次击穿电压,据此提出一种多缓冲层结构,通过优化掺杂浓度和厚度,使器件的抗SEB能力得到了显著提高.仿真结果显示,采用三缓冲层结构,二次击穿电压近似为无缓冲结构的3倍,负阻转折临界电流提高近30倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁		38	215	9.0	13.0
2	胡冬青		27	114	7.0	9.0
3	贾云鹏		16	107	7.0	9.0
4	高一星		3	16	2.0	3.0