SnO2与ZnO压敏电阻特性比较分析

• 作者: 张枨 张鹏 李祥超 鞠晓雨
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏电阻 SnO2 ZnO 老化 残压
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 23-26
• 分类号: TM23
• 字数: 3964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.07.007

摘要

采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更好；在大电流冲击时,SnO2压敏电阻的残压远远高于ZnO压敏电阻,这一缺陷限制了其在低压浪涌防护中的应用,因此今后在如何减低SnO2压敏电阻的残压方面还有待更加深入的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏		17	55	3.0	7.0
2	张枨	南京信息工程大学雷电科学与技术系	10	174	7.0	10.0
3	鞠晓雨	南京信息工程大学雷电科学与技术系	2	15	2.0	2.0
4	李祥超	南京信息工程大学雷电科学与技术系	72	323	10.0	16.0