英特尔与美光以创新巩固NAND闪存技术领导地位

• 来源期刊: 中国电子商情：基础电子
• 学科: 经济
• 关键词: NAND闪存 英特尔公司 技术领域 领导地位 美光科技公司 创新 纳米制程 Gb
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 70-70
• 分类号: F471.266
• 字数: 327字
• 语种: 中文

摘要

英特尔公司和美光科技公司宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元（MLC）NAND设备,在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存,进一步扩展了双方在NAND制程工艺技术领域的领导地位。