硫化时间对CuInS2薄膜微结构的影响

• 作者: 刘俊 夏冬林 徐俊 雷盼
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 CuInS2薄膜 固态源硫化法 微观结构
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 20-23
• 分类号: O484
• 字数: 2095字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜.研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面形貌和晶相结构性能的影响.利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱等测试手段对薄膜的表面形貌和晶相结构进行表征.实验结果表明,采用磁控溅射金属预制膜经适当的时间硫化所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,随着硫化时间的增加,CuInS2薄膜的晶粒的形貌由球形结构向片状结构转化,并且硫化时间越长,所得薄膜的结晶性能越好,但过长的硫化时间会生成Cu-Au相而导致薄膜质量的劣化.