中频磁控溅射制备非晶硅薄膜的工艺研究及表征

• 作者: 李明华 林杨欢 沈辉
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 正交实验法 非晶硅 中频磁控溅射 太阳电池
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 277-282
• 分类号: TK514
• 字数: 3065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0096.2012.02.019

摘要

使用中频磁控溅射方法进行正交实验,在Si基底上沉积非晶硅薄膜.利用n&k测试、拉曼光谱和XPS等方法表征,研究工作气压、电流、衬底温度等参数对制备非晶硅薄膜的沉积速率、光学特性及成分的影响.结果表明,中频磁控溅射制备非晶硅薄膜具有较大的O、C含量,但通过降低工作气压和提高溅射功率可有效降低O、C含量,得到光学特性和结构较好的非晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈辉	中山大学太阳能系统研究所	121	1808	24.0	37.0
2	李明华	中山大学太阳能系统研究所	6	154	4.0	6.0
3	林杨欢	中山大学太阳能系统研究所	1	2	1.0	1.0