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摘要:
介绍了纳米ZnO常见发光谱的发光机制.在室温光致发光谱(PL)中,一般在380 nm处出现紫外发光,也有报道在357和377 nm处的紫外发光,列举了几种不同的发光解释.对于深能级发光,一般在400~550 nm出现连续的发光带,也有观察到深能级的声子伴线和声子复制现象.在低温光致发光谱的紫外发射中,一般观察到由自由激子发射(FX)、中性施主束缚激子发射(D0X)、施主-受主对跃迁峰(DAP)、中性施主束缚激子对应的双电子卫星峰(TES)以及声子伴线.综述了纳米ZnO的喇曼光谱、透射光谱、电致发光谱(EL)的特征,最后展望了纳米ZnO的光学性能研究前景.
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文献信息
篇名 纳米ZnO光学性质研究进展
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 ZnO 光致发光(PL) 喇曼 透射 电致发光(EL)
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 材料与结构
研究方向 页码范围 83-89,139
页数 分类号 TB383|TN304.21
字数 1619字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.02.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐斌 西南石油大学理学院 30 133 6.0 10.0
2 张强 西南石油大学理学院 53 121 6.0 8.0
3 刘忠华 西南石油大学理学院 9 28 3.0 5.0
4 罗强 西南石油大学理学院 34 152 7.0 10.0
5 陈建勇 西南石油大学理学院 6 31 3.0 5.0
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ZnO
光致发光(PL)
喇曼
透射
电致发光(EL)
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研究来源
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微纳电子技术
月刊
1671-4776
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大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
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