基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性

• 作者: 付强 张万荣 张瑜洁 赵昕 金冬月 陈亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多指功率SiGe HBT Ge组分分布 温度分布 热学特性 增益特性
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 437-441
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.06.006

摘要

基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响.结果 表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平缓,各发射极指的峰值温度明显小于矩形分布的各指峰值温度,器件纵向和表面温度分布也更加均匀,因此,与矩形分布相比,梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT在热学特性上有了很大的改善,电学特性也相对热稳定.在这三种结构中,梯形分布可以更好地兼顾增益特性和热学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
3	陈亮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	61	5.0	6.0
4	付强	北京工业大学电子信息与控制工程学院	17	39	4.0	5.0
5	赵昕	北京工业大学电子信息与控制工程学院	15	85	5.0	9.0
6	张瑜洁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	11	2.0	3.0