PDSOIBTSNMOS器件的三维SEU仿真

• 作者: 徐静 洪根深 陈正才
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SEU 三维仿真
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 28-30,36
• 分类号: TN702
• 字数: 1315字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.01.010

摘要

采用silvaco软件对抗辐射PDSOIBTSNMOS器件进行了三维SEU仿真。器件建模采用devedit软件，工艺参考标准0．8μmPDSOI工艺平台。器件基于SIMOXS01材料，其埋氧层厚度为375nm，顶层硅膜厚度为205nm。三维SEU仿真的入射粒子轨迹垂直于器件表面，主要选取了垂直于沟道方向（DS）和平行于沟道方向（PDS）。对比了不同入射粒子轨迹下器件关断状态下漏端电流随粒子入射时间的变化，确定了器件的敏感区域在漏体PN结处，并且越远离体接触的地方，对SEU效应越敏感。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	徐静		16	27	4.0	5.0
3	陈正才		5	12	2.0	3.0