MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测

• 作者: 宁永强 张金龙 徐华伟 王鹏程
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物 外延生长 金属有机化合物汽相淀积 反射各向异性谱
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 985-990
• 分类号: O76
• 字数: 3189字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123309.0985

摘要

利用反射各向异性谱( RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程.通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺.实验表明,反射谱中的振荡周期可以在线计算组份和生长速率,利用反射谱中的振荡的第一个最小值与A1组份的线性关系,可以确定渐变组份初始值.通过在线计算得到的生长速率和组份与扫描电镜(SEM)和高分辨X射线衍射(HRXRD)测试得到的结果基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁永强	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	6	180	4.0	6.0
2	王鹏程	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	4	1.0	2.0
6	张金龙	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	7	1.0	2.0
7	徐华伟	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0