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篇名 High-performance doping-free carbon-nanotube-based CMOS devices and integrated circuits
来源期刊 中国科学通报(英文版) 学科 工学
关键词 单壁碳纳米管 CMOS器件 集成电路制造 互补金属氧化物半导体 兴奋剂 性能 MOS场效应管 场效应晶体管 carbon nanotube, field-effect transistor, doping-free, complementary metal-oxide-semiconductor, high frequency
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 135-148
页数 14页 分类号 TN386.1
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
单壁碳纳米管
CMOS器件
集成电路制造
互补金属氧化物半导体
兴奋剂
性能
MOS场效应管
场效应晶体管
carbon nanotube, field-effect transistor, doping-free, complementary metal-oxide-semiconductor, high frequency
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科学通报(英文版)
半月刊
1001-6538
11-1785/N
大16开
北京东黄城根北街16号
2-177
1950
eng
出版文献量(篇)
9507
总下载数(次)
1
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