Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究

• 作者: 冯良桓 冷丹 张静全 曾广根 李卫 武莉莉 江洪超 王文武 赵宇 郝霞
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Te掺杂 AlSb多晶薄膜
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 661-664
• 分类号: TM23|TM914.4+2
• 字数: 1201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2012.03.034

摘要

本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了AlxTey化合物.AlSb:Te薄膜在150℃～170℃之间表现出反常的电导率温度行为,且AlSb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为p型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.