Al2O3界面钝化与热处理对Gd2O3-HfO2高κ薄膜电性能影响

• 作者: 张心强 杜军 杨萌萌 熊玉华 赵鸿滨 郭亿文
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3 Gd2O3-HfO2 堆栈层 磁控溅射 快速退火
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 415-418
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2316字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.015

摘要

采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移.高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军		75	496	13.0	17.0
2	赵鸿滨		11	58	4.0	7.0
3	张心强		7	21	2.0	4.0
4	熊玉华		20	94	7.0	8.0
5	杨萌萌		3	15	2.0	3.0
6	郭亿文		1	0	0.0	0.0