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摘要:
介绍了大型相控晶闸管、IGBT及IGCT三种兆瓦级新型电力半导体器件的发展、技术特征和应用领域,初步探讨了器件的物理极限和未来的发展方向.
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文献信息
篇名 目前我国兆瓦级新型电力半导体器件
来源期刊 大功率变流技术 学科 工学
关键词 大型相控晶闸管(PCT) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 集成门极换流晶闸管(IGCT) 兆瓦级
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目 电力电子器件与应用
研究方向 页码范围 1-8
页数 8页 分类号 TN303
字数 6407字 语种 中文
DOI
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张明 2 5 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
大型相控晶闸管(PCT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
集成门极换流晶闸管(IGCT)
兆瓦级
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
控制与信息技术
双月刊
2096-5427
43-1546/TM
大16开
湖南省株洲市
1978
chi
出版文献量(篇)
1119
总下载数(次)
13
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