Ge,Al共掺SiO2薄膜的发光性能研究

• 作者: 张培 王加贤 陈虎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 Ge,Al共掺SiO2复合薄膜 PL谱 缺陷中心 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体材料与设备
• 页码范围: 212-215,234
• 分类号: O484.41
• 字数: 2769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.03.011

摘要

用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料.经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰.通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因.实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈虎	华侨大学信息科学与工程学院	5	45	2.0	5.0
2	王加贤	华侨大学信息科学与工程学院	81	268	9.0	12.0
3	张培	华侨大学信息科学与工程学院	6	10	2.0	2.0