电荷俘获存储器阻挡层研究进展

• 作者: 刘明 刘璟 刘紫玉 张满红 杨建红 白杰 霍宗亮
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷俘获存储器(CTM) 阻挡层 高k材料 隧穿 Al2O3
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 360-368
• 分类号: TP333.5
• 字数: 5057字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.06.002

摘要

随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制.基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介电常数材料作为阻挡层时,其禁带宽度、介电常数、内部的缺陷密度以及退火工艺等方面对存储特性的影响进行了分析,同时对近年来研究较多的阻挡层能带工程进行了详细介绍,如SiO2和Al2O3的复合阻挡层结构、多层高介电常数材料的阻挡层结构等.最后,对目前研究进展中存在的问题以及未来的研究方向和趋势进行了总结和展望.