SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究

• 作者: 上官士鹏 余永涛 封国强 陈睿 韩建伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 脉冲激光 单粒子闩锁效应 限流电阻 断电解除闩锁
• 年，卷（期）: 2012,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 587-591
• 分类号: TN406
• 语种: 中文

摘要

本工作利用脉冲激光单粒子效应模拟试验装置对三星公司的SRAM K6R4016V1D进行了单粒子闩锁效应试验研究.试验测得了此器件的单粒子闩锁效应脉冲激光能量阈值、闩锁截面曲线和闩锁电流.针对这款器件,还对工程中防护闩锁过流常用的限流和断电方法进行了试验研究.试验结果表明,该器件具有非常低的单粒子闩锁效应阈值能量和很高的闩锁饱和截面,对空间辐射环境极其敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩建伟	中国科学院空间科学与应用研究中心	90	549	14.0	18.0
2	陈睿	中国科学院空间科学与应用研究中心	35	512	12.0	22.0
3	余永涛	中国科学院空间科学与应用研究中心	8	40	4.0	6.0
7	封国强	中国科学院空间科学与应用研究中心	22	139	6.0	10.0
8	上官士鹏	中国科学院空间科学与应用研究中心	12	54	4.0	6.0