0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器

• 作者: 丁玲 严鸣 奚家健 成立 杨泽斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: BiCMOS器件 低压差线性稳压器 带隙基准源 共源-共栅 高精度
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 110-113,121
• 分类号: TN432
• 字数: 3005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.02.004

摘要

设计了一种0.13 μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、“套筒式”共源-共栅补偿电路等.为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路.由于所设计的BiCMOS带隙基准源对温度的敏感性较小,故能为LDO提供高精度的基准电压.对所设计的LDO进行了工艺流片.流片测试结果表明,该LDO可提供60 mA的输出电流且最小压差只有100 mV.测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善:负载调整率为0.054 mV/mA,线性调整率为0.014％,而芯片面积约为0.094 mm2,因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨泽斌	江苏大学电气信息工程学院	84	726	16.0	24.0
2	成立	江苏大学电气信息工程学院	168	1567	21.0	32.0
3	丁玲	江苏大学电气信息工程学院	4	23	2.0	4.0
4	严鸣	江苏大学电气信息工程学院	5	16	2.0	4.0
5	奚家健	江苏大学电气信息工程学院	4	16	2.0	4.0