GaN基功率LED电应力老化早期的退化特性

• 作者: 丁艳 吴国庆 崔德胜 崔碧峰 郭伟玲 闫薇薇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 氮化镓 电应力 I-V特性 光通量
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 93-96
• 分类号: TN364.2
• 字数: 2486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123301.0093

摘要

对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24h隧穿电流最小,绿光LED到6h隧穿电流最小；同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快.把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大,衰减较快.该结果对GaNLED的改进有一定参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔碧峰	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	51	172	7.0	10.0
2	郭伟玲	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	74	656	10.0	23.0
3	崔德胜	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	6	39	3.0	6.0
4	吴国庆	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	4	49	4.0	4.0
5	闫薇薇	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	4	22	2.0	4.0
6	丁艳	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	13	1.0	1.0