一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路

• 作者: 庞振洋 王曾 甄少伟 罗萍
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: BCD工艺 降压型DC-DC转换器 电平位移电路
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 63-66
• 分类号: TN43
• 字数: 2294字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.01.016

摘要

提出了一种基于0.25 μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路.该电路使用了耐压60 V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的三极管器件(BJT).分析了降压型DC-DC转换器对电平位移电路的特殊要求；基于对两种常见电平位移电路的分析,提出了一种新型的电平位移电路.电路仿真结果显示,与之前的电路相比,新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	534	11.0	20.0
2	甄少伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	122	6.0	9.0
3	王曾	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	20	2.0	4.0
4	庞振洋	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0