硫酸盐还原菌对H68黄铜点蚀的影响

• 作者: 孙玲玲 曹生现 院凯延
• 来源期刊: 全面腐蚀控制
• 学科: 工学
• 关键词: 硫酸盐还原菌 点蚀 黄铜 自腐蚀电位 交流阻抗
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 腐蚀研究
• 页码范围: 30-33
• 分类号: TG172
• 字数: 2694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-7818.2012.04.009

摘要

本文通过自腐蚀电位技术、交流阻抗技术以及动电位极化技术等电化学技术,研究了H68黄铜在硫酸盐还原菌中的腐蚀行为,并分析了硫酸盐还原菌的腐蚀机理和腐蚀特性.由实验结果得出,随着硫酸盐还原菌代谢活动的加强,铜电极的点蚀电位和开路电位具有一定的规律,并且H68黄铜的转移电荷呈现升降升的规律.在硫酸盐还原菌中的腐蚀行为比在无菌介质中强烈.硫酸盐还原菌代谢活动能降低溶液的pH值,破坏了铜电极表面的CuO的氧化膜,加速了铜电极的腐蚀,促进了金属的点蚀发生,使铜金属点蚀敏感性增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹生现	东北电力大学自动化工程学院	65	269	10.0	14.0
2	孙玲玲	东北电力大学自动化工程学院	5	15	2.0	3.0
3	院凯延	东北电力大学自动化工程学院	1	0	0.0	0.0