AZO透明导电薄膜的制备

• 作者: 刘丹妮 史永胜 杨巍巍 杨若欣 马猛飞
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: AZO 溅射功率 衬底温度 结构特性 光电特性
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 71-75
• 分类号: O484
• 字数: 4481字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.06.018

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:AI(AZO)透明导电薄膜,并借助XRD、SEM等表征方法,研究了溅射功率和衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响.结果表明,制备薄膜的最佳溅射功率和衬底温度分别为180W、200℃,在此条件下制备的AZO薄膜具有明显的c轴(002)择优取向,其最低方块电阻为18 Ω/□,在可见光范围内的平均透光率超过91％,且透明导电性能优于目前平板显示器的要求,有望取代现在市场上的主流氧化铟锡(ITO)薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史永胜	陕西科技大学电气与信息工程学院	69	433	9.0	18.0
2	刘丹妮	陕西科技大学电气与信息工程学院	5	34	4.0	5.0
3	马猛飞	陕西科技大学电气与信息工程学院	3	24	3.0	3.0
4	杨巍巍	陕西科技大学电气与信息工程学院	5	33	4.0	5.0
5	杨若欣	陕西科技大学电气与信息工程学院	4	18	3.0	4.0