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摘要:
Synthesis of multilayer graphene on copper wires by a chemical vapor deposition method is reported. After copper etching, the multilayer tube collapses forming stripes of graphitic films, their electrical conductance as a function of temperature indicate a semiconductor-like behavior. Using the multilayer graphene stripes, a cross junction is built and owing to its electrical behavior we propose that a tunneling process exists in the device.
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文献信息
篇名 Electrical Conductivity of Collapsed Multilayer Graphene Tubes
来源期刊 纳米科学与工程(英文) 学科 化学
关键词 MULTILAYER GRAPHENE Electrical CONDUCTIVITY KLEIN TUNNELING Chemical Vapor Deposition
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 53-57
页数 5页 分类号 O6
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纳米科学与工程(英文)
季刊
2161-4954
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
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121
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