基区Ge组分分布对SiGe HBT热学特性的影响

• 作者: 付强 张万荣 张东晖 谢红云 赵昕 金冬月
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 异质结双极晶体管 热学特性 Ge组分分布
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 289-292,296
• 分类号: TN322.8
• 字数: 1784字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.02.035

摘要

建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究.结果表明,在Ge总量一定的前提下,Ge组分为三角形和梯形分布结构的SiGe HBT峰值温度较低、温差较小,温度分布的均匀性优于Ge组分矩形分布结构的SiGe HBT,具有更好的热特性.对不同Ge组分分布下器件增益与温度的依赖关系进行研究,发现当基区Ge组分为三角形和梯形分布时,随着温度升高,器件增益始终低于Ge组分矩形分布的器件,且增益变化较小,提高了器件的热学和电学稳定性,扩大了器件的应用范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
3	谢红云	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	215	8.0	9.0
4	付强	北京工业大学电子信息与控制工程学院	17	39	4.0	5.0
5	赵昕	北京工业大学电子信息与控制工程学院	15	85	5.0	9.0
6	张东晖	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	7	2.0	2.0