掺锆氧化镍/硅化镍/硅微通道结构的三维超级电容器

• 作者: 刘涛 徐少辉 李劢 王斐 王连卫 赖佳 顾林玲
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 化学
• 关键词: 锆掺杂氧化镍 电化学性质 硅微通道板
• 年，卷（期）: clkx,（2）
• 页码范围: 77-82
• 页数: 6页
• 分类号: O64

摘要

本文制作了掺锆氧化镍/硅化镍/硅微通道板结构三维超级电容器。采用电化学刻蚀的方法制成硅微通道板(Si-MCP),并将其作为该三维电容器结构的骨架。采用无电镀的方法在硅微通道上均匀沉积一层掺锆镍金属层,通过将样品在氧气氛围中500℃退火,在硅微通道表面得到掺锆氧化镍层。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量色散谱仪(EDX)以及X射线衍射(XRD)表征了此样品的结构和表面形貌,用循环伏安法(CV)和计时电位测试表征了电化学特性,结果表明掺Zr氧化镍/硅化镍/硅微通道结构电容性能有较大提升。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘涛	华东师范大学电子工程系	27	246	8.0	15.0
2	徐少辉	华东师范大学电子工程系	9	16	2.0	3.0
3	王连卫	华东师范大学电子工程系	16	71	5.0	8.0
4	顾林玲	华东师范大学电子工程系	1	0	0.0	0.0
5	赖佳	华东师范大学电子工程系	1	0	0.0	0.0
6	李劢	华东师范大学电子工程系	1	0	0.0	0.0
7	王斐	华东师范大学电子工程系	2	1	1.0	1.0